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碳化硅晶體的高溫退火處理

碳化硅SiC晶體生長較常見，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運(yùn)法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數(shù)等都有很高的要求。近年來，國內(nèi)外對PVT工藝的開發(fā)投入了大量的時間和精力，SiC晶體的質(zhì)量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應(yīng)力。組織缺陷的存在會惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應(yīng)用，而應(yīng)力的存在則會使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀應(yīng)力就顯...

第三代半導(dǎo)體材料之碳化硅

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結(jié)合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結(jié)構(gòu)均由Si-C四面體以不同的堆積方式構(gòu)成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結(jié)構(gòu)有200多種，其中六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導(dǎo)體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場強(qiáng)度是硅材料近1...

ITO靶材常壓燒結(jié)工藝進(jìn)展

20世紀(jì)90年代初興起了一種新的靶材燒結(jié)方法-常壓燒結(jié)法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對ITO靶材的素坯進(jìn)行燒結(jié)，通過對燒結(jié)過程中各因素的控制，來有效控制ITO素坯晶粒的生長，從而達(dá)到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對粉末的燒結(jié)活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價值也越高。國外可以做寬1200毫米、長近3000毫米的單塊靶材，國內(nèi)只能制造不超過800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術(shù)方案中，將粒...

ITO靶材燒結(jié)工藝

ITO（氧化銦錫）是制備ITO導(dǎo)電玻璃的重要原料。ITO靶材經(jīng)濺射后可在玻璃上形成透明ITO導(dǎo)電薄膜，其性能是決定導(dǎo)電玻璃產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)效率、成品率的關(guān)鍵因素。ITO靶材性能的重要指標(biāo)是成分、相結(jié)構(gòu)和密度，ITO濺射靶材的成分為In2O3+SnO2，氧化銦與氧化錫成分配比通常為90:10（質(zhì)量比），在ITO靶材的生產(chǎn)過程中必須嚴(yán)格控制化學(xué)氧含量及雜質(zhì)含量，以確保靶材純度。ITO靶材制備流程ITO靶材的成型工藝制備出成分均勻、致密度較高的初坯，對經(jīng)過低溫?zé)崦撝蜔Y(jié)后工藝處理得...

熱處理前景怎么樣？聽聽管式爐廠家上海皓越怎么說

隨著鋼鐵、機(jī)械、化工等重化工業(yè)逐漸向發(fā)展中國家轉(zhuǎn)移，熱處理對中國制造業(yè)的振興和發(fā)展具有重要的支撐作用，而制造業(yè)的發(fā)展也必將帶動中國熱處理行業(yè)的快速發(fā)展，為中國熱處理行業(yè)的發(fā)展提供廣闊的發(fā)展空間，行業(yè)的發(fā)展前景廣闊。不過，管式爐廠家上海皓越覺得，雖然中國熱處理行業(yè)發(fā)展迅猛、前景廣闊，但面對著新產(chǎn)品不斷開發(fā)、老產(chǎn)品更新?lián)Q代的快速發(fā)展形勢，雖然目前我國熱處理企業(yè)的生產(chǎn)裝備可以滿足生產(chǎn)需求，但熱處理行業(yè)有的“專、精、特”企業(yè)群體尚未形成，專業(yè)技術(shù)人員短缺，新技術(shù)的推廣應(yīng)用困難；全行業(yè)...

ITO靶材應(yīng)用及發(fā)展前景

氧化銦錫（ITO）晶體結(jié)構(gòu)氧化銦錫（ITO）是通過用錫摻雜In2O3而形成的n型半導(dǎo)體，晶體結(jié)構(gòu)是In2O3結(jié)構(gòu)，其中In2O3結(jié)構(gòu)具有兩種形態(tài)，一種是立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)，另一種是六方剛玉結(jié)構(gòu)。立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)是常見的In2O3結(jié)構(gòu)，如圖1所示。當(dāng)將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時，一種高度簡并的n型半導(dǎo)體得以產(chǎn)生，其中一定數(shù)量的In3+位置被Sn4+取代了，導(dǎo)致ITO晶格中出現(xiàn)大量點(diǎn)缺陷，同時產(chǎn)生大量自由電子，點(diǎn)缺陷和自由電子可充當(dāng)電場下的載流子，因此表現(xiàn)出了優(yōu)異的導(dǎo)電...

AZO靶材 熱壓制備工藝

透明導(dǎo)電氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）是一種在可見光光譜范圍（380nm＜λ＜780nm）透過率很高且電阻率較低的薄膜材料，由于其良好的光電性能在節(jié)能玻璃、熱窗、電磁屏蔽窗、觸摸屏、液晶面板、太陽能電池、發(fā)光二極管等領(lǐng)域，被作為智能窗口材料、加熱導(dǎo)體、電磁屏蔽材料、薄膜電容材料、透明導(dǎo)電電極等而得到廣泛的應(yīng)用。TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相應(yīng)的復(fù)合多元化合物半導(dǎo)體材料。電子工業(yè)的飛速發(fā)展對透明導(dǎo)電...

碳化硼復(fù)合靶板制備及抗彈測試

近30年來，復(fù)合裝甲中一般采用金屬與非金屬組成的多層結(jié)構(gòu)，由外層裝甲鋼和背板裝甲組成集體，非金屬材料（陶瓷、增強(qiáng)纖維）充填其中。常見的陶瓷材料有氧化鋁、碳化硅、氧化鋯、碳化硼等，增強(qiáng)纖維有玻璃纖維、碳纖維和芳綸纖維等。下面以碳化硼復(fù)合靶板為例，介紹下其制備及抗彈測試過程。復(fù)合靶板結(jié)構(gòu)及封裝復(fù)合裝甲陶瓷靶板示意圖靶板從左到右依次為鋁合金面板、4層玻纖布、鋁合金邊框及陶瓷片、2層玻纖布、鋁合金背板、45號鋼基板。采用鋁合金邊框?qū)μ沾蓧K進(jìn)行二維約束，再將玻纖布平鋪在陶瓷層的正面和背...